Сетевое издание
Международный студенческий научный вестник
ISSN 2409-529X

ИССЛЕДОВАНИЕ ХИМИЧЕСКОГО ОСАЖДЕНИЯ

Филипченко Е.С. 1 Семенов Г.А. 2 Бичурин М.И. 2
1 НовГУ имени Ярослава Мудрого
2 Новгородский государственный университет им. Ярослава Мудрого
Химическое осаждение металлов в качестве защитных покрытий было открыта в 1977 году Туомо Сунтола. Суть химического осаждения заключается в разделении веществ, в частности, очистки реактивов, которая заключается в переводе примеси в осадок. В нашем случае мы рассмотрим осаждения никеля на диэлектрическую подложку из керамики: цирконат-титанат свинца (ЦТС). В основе толстоплёночной технологии лежит использование дешёвых и высокопроизводительных процессов, требующих небольших единовременных затрат на подготовку производства, благодаря чему она оказывается экономически целесообразной и в условиях мелкосерийного производства.
осаждение
никель
цтс
реактивы
структура
пленка
толстая пленка
1. Технология химического осаждения пленок халькогенидов металлов : учеб. пособие / [Л. Н. Маскаева, В. Ф. Марков, Н. А. Форостяная, С. С. Туленин, Е. А. Федорова, З. И. Смирнова, А. Н. Титов ; под общ. ред. Л. Н. Маскаевой] ; М-во образования и науки Рос. Федерации, Урал. федер. ун-т. Екатеринбург : Изд-во Урал. ун-та, 2018. – 136 с.
2. Шалкаускас М., Вашкялис А. Химическая металлизация пластмасс. Л., 1985.
3. Подвигалкин В. Я. Толстые плёнки радиоэлектроники. Физико-технические основы, гетероструктурные среды, приложения: Учебное пособие. СПб.: Издательство •Лань•, 2022. - 212 с.: ил. - (Учебники для вузов. Специальная ,литература).

Введение

Одна из сложных задач для получения толстой пленки - это правильно отработанная технология по времени и правильному соотношению компонентов и подготовки диэлектрика к химическому осаждению металла.[1]

Дальнейшее совершенствование технологических процессов затрагивает вопросы выбора и научного подхода к определенному процессу осаждения металла. Нанесения толстой пленки на диэлектрическую подложку в научной литературе рассмотрено недостаточно. Поэтому в данной статье рассмотрены базовые вопросы подобной технологии применительно к химическому осаждению никеля.[2]

Целью данной статьи является проведение аналитического обзора литературы по представленной теме.

Описание технологического процесса

Химические компоненты, которые нам понадобятся включают в себя хлорид никеля 15 г., ацетат натрия 10 г., хлорид аммония 50 г., гипофосфит натрия 30 г., тиомечевина – 0,002 г., вода до 1 литра.

Наливаем в емкость примерно 900 мл дистиллированной воды, взвешиваем 15 грамм хлорида никеля, растворяем его в воде. Затем взвешиваем 10 грамм ацетата натрия, высыпаем его в емкость с хлоридом никеля и растворяем. Затем взвешиваем 50 грамм хлорида аммония и растворяем там же. После растворения доводим объем раствора водой до 1 литра. Переливаем в емкость для хранения и подписываем, это будет раствор номер один.

Далее взвешиваем 30 грамм гипофосфита натрия и растворяем его в 100 мл дистиллированной воды. Чтобы взвесить 0.002 грамм тиомочевины, поступаем так. Наливаем в емкость 1 литр воды, взвешиваем 1 грамм тиомочевины и растворяем ее в этом литре воды. 1 мл этого раствора будет равен 0,001 грамму тиомочевины. Переливаем раствор тиомочевины в малую емкость, подписываем ее, остальное выливаем. Берем 2 мл этого раствора, что соответствует 0,002 грамма тиомочевины и добавляем его к раствору гипофосфита натрия.

В итоге получили два раствора для химического никелирования.

Чтобы нанести качественное покрытие на диэлектрик, его нужно подготовить. В этап подготовки входит обезжиривание, подтравливание диэлектрика в специальных растворах для придания микрошероховатости поверхности и промывка в воде.

В данной случая мы использовали обезжиривание и промывку в воде. Сначала обезжириваем диэлектрик в растворе обезжиривания, нагретым до 50..60 градусов. Затем промываем в воде и опускаем в нагретый до 50 градусов димексид. Потом промываем в воде и видим, что вода не скатывается с поверхности, что означает качественное обезжиривание. Если вода скатывается, то повторяем операцию (обезжириватель, затем димексид).

Получаем зеркальную поверхность, с нанесенным химическим никелем.

Вывод

Анализ аналитического обзора представленного процесса, привело к выводу, что при повторном погружении диэлектрика в соответствующие растворы мы будем наращивать пленку на пленку, чем можем попробовать достичь пленку в несколько мкм.[3]

Также, согласно описанному эксперименту, достоверно можно сказать, что с течением времени растет толщина пленки никеля.

Данной аналитический обзор позволяет перейти от теории к практике и приступить к реализации описанного технологического процесса.


Библиографическая ссылка

Филипченко Е.С., Семенов Г.А., Бичурин М.И. ИССЛЕДОВАНИЕ ХИМИЧЕСКОГО ОСАЖДЕНИЯ // Международный студенческий научный вестник. – 2023. – № 1. ;
URL: https://eduherald.ru/ru/article/view?id=21139 (дата обращения: 24.06.2024).

Предлагаем вашему вниманию журналы, издающиеся в издательстве «Академия Естествознания»
(Высокий импакт-фактор РИНЦ, тематика журналов охватывает все научные направления)

«Фундаментальные исследования» список ВАК ИФ РИНЦ = 1,674